特許
J-GLOBAL ID：200903007807772562

フォトマスク管理方法、フォトマスク洗浄可能回数生成方法、及びフォトマスク管理システム

発明者：
向井 英史

向井 英史 について

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山口 真司

山口 真司 について

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有澤 幸恭

有澤 幸恭 について

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小谷 敏也

小谷 敏也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-121027
公開番号（公開出願番号）：特開2008-276002
出願日： 2007年05月01日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】半導体デバイスの歩留まりの向上及びコストダウンが可能なフォトマスク管理方法を提供すること。【解決手段】フォトマスク管理方法は、フォトマスクの洗浄工程(S1002)と、前記洗浄工程の後に前記フォトマスクの透過率、位相差、パターンの寸法、パターンの高さ、或いはパターンの側壁形状の少なくとも1つの物理量を測定する工程(S1003)と、前記洗浄工程の後にフォトマスクの予め定めた危険パターンの2次元形状を計測する工程(S1004,S1005)と、測定された前記物理量を用いて、計測された前記2次元形状についてのリソグラフィーシミュレーションを実行することによりリソグラフィー余裕度を求める工程(S1006)と、求められた前記リソグラフィー余裕度に基づいて、前記フォトマスクが使用可能かどうかを判断する工程(S1007)とを具備する。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
フォトマスクの洗浄工程と、 前記洗浄工程の後に前記フォトマスクの透過率、位相差、パターンの寸法、パターンの高さ、或いはパターンの側壁形状の少なくとも1つの物理量を測定する工程と、 前記洗浄工程の後にフォトマスクの予め定めた危険パターンの2次元形状を計測する工程と、 測定された前記物理量を用いて、計測された前記2次元形状についてのリソグラフィーシミュレーションを実行することによりリソグラフィー余裕度を求める工程と、 求められた前記リソグラフィー余裕度に基づいて、前記フォトマスクが使用可能かどうかを判断する工程と を具備することを特徴とするフォトマスク管理方法。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F1/08 X ,  H01L21/30 502P ,  G03F1/08 S
Fターム (5件)：
2H095BB19 ,  2H095BB22 ,  2H095BB36 ,  2H095BD03 ,  2H095BD04
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • マスクの洗浄方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-198643   出願人：ソニー株式会社
  • 特許第3425414号公報
審査官引用 (7件)
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