特許
J-GLOBAL ID:200903007866043361

深紫外線センサー

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-256880
公開番号(公開出願番号):特開2004-095958
出願日: 2002年09月02日
公開日(公表日): 2004年03月25日
要約:
【課題】従来技術では素子単体で225nm以下の波長の紫外線にのみ感度を持つセンサーは大型のものか、ダイヤモンドに高電圧を印加して動作するものしかなかった。【構成】リンをドープしたn型ダイヤモンドをn型層に用いたpn接合による225nm以下の波長の紫外線を検知する深紫外線センサー。これは200nmの波長における検出感度(I200)と250nmにおける検出感度(I250)の比(I200/I250)が100以上である。リンをドープしたn型ダイヤモンドをn型層に用いたpin接合による225nm以下の波長の紫外線を検知する深紫外線センサー。これは200nmの波長における検出感度(I200)と250nmにおける検出感度(I250)の比(I200/I250)が1000以上である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
リンをドープしたn型ダイヤモンドをn型層に用いたpn接合による225nm以下の波長の紫外線を検知する深紫外線センサー。
IPC (1件):
H01L31/10
FI (1件):
H01L31/10 A
Fターム (11件):
5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MB02 ,  5F049MB11 ,  5F049NA10 ,  5F049NA20 ,  5F049NB07 ,  5F049PA03 ,  5F049SS03 ,  5F049SS09 ,  5F049WA05
引用特許:
審査官引用 (11件)
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