低抵抗n型ダイヤモンドの合成法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-208611
公開番号（公開出願番号）：特開2000-026194
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 2000年01月25日
要約：

【要約】【課題】透明低抵抗n型ダイヤモンドの製造。【解決手段】気相成長法、スパッタリング法、または高温高圧合成法によりダイヤモンドを合成させる際に、n型ドーパントであるN、P、またはAsとp型ドーパントであるHを同時にドーピングすることにより結晶中にドナー・アクセプター対を形成させて低抵抗のn型ダイヤモンドを合成する。

請求項（抜粋）：

気相成長法またはスパッタリング法により単結晶ダイヤモンド薄膜を基板上で成長させる際に、n型ドーパントであるN、P、またはAsとp型ドーパントであるHを同時にドーピングすることにより結晶中にドナー・アクセプター対を形成させて低抵抗n型ダイヤモンド単結晶薄膜を合成する方法。

IPC (4件)：

C30B 29/04 , B01J 3/06 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (4件)：

C30B 29/04 R , B01J 3/06 R , H01L 21/203 S , H01L 21/205

Fターム (51件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BA03 , 4G077CA03 , 4G077CA08 , 4G077DA11 , 4G077DB01 , 4G077DB18 , 4G077DB22 , 4G077DB24 , 4G077DB25 , 4G077EA04 , 4G077EB01 , 4G077EB02 , 4G077FE14 , 4G077FE16 , 4G077FH01 , 4G077FH07 , 4G077FH08 , 4G077GA01 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AA19 , 5F045AB07 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045DA66 , 5F045EE15 , 5F045HA16 , 5F045HA18 , 5F103AA04 , 5F103AA08 , 5F103BB06 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103JJ03 , 5F103KK10 , 5F103LL03 , 5F103PP03 , 5F103PP20 , 5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (5件)

ダイヤモンドn型半導体膜の製造方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-310269 出願人：三菱重工業株式会社
リンドープダイヤモンドの合成法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-252376 出願人：科学技術庁無機材質研究所長
特開平3-023295

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