特許

J-GLOBAL ID：200903007921603045

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： 深見 俊輔 ,  石綿 延行 ,  鈴木 哲広 ,  大嶋 則和 ,  永原 聖万
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-037962
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200123
出願日： 2008年02月19日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：

【課題】MRAMにおけるリファレンスセルの初期設定が不要となる技術を提供すること。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリ10は、メモリセルMCと、データ読み出し時にリファレンスレベルを生成するために参照されるリファレンスセルRCとを備える。メモリセルMCは、抵抗値が第1値と第2値の間で切り換わる第1磁気抵抗素子100を含む。一方、リファレンスセルRCは、抵抗値が第1値と第2値の間の第3値に固定された第2磁気抵抗素子150を含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

抵抗値が第1値と第2値の間で切り換わる第1磁気抵抗素子を含むメモリセルと、 前記メモリセルからのデータ読み出し時にリファレンスレベルを生成するために参照されるリファレンスセルと を備え、 前記リファレンスセルは、抵抗値が前記第1値と前記第2値の間の第3値に固定された第2磁気抵抗素子を含む 磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15 ,  H01L 29/82

FI (5件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110 ,  G11C11/15 150 ,  H01L29/82 Z

Fターム (22件)：

4M119AA20 ,  4M119BB01 ,  4M119BB20 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD25 ,  4M119EE04 ,  4M119HH13 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BB22 ,  5F092BB35 ,  5F092BB42 ,  5F092BC04 ,  5F092BC42

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 磁気抵抗効果素子とその製造方法、および磁気メモリ装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-320923   出願人：ソニー株式会社
• 磁気記憶装置及び磁気情報の書込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-426765   出願人：株式会社東芝
• 国際公開WO/2007/020823
  

審査官引用 (5件)

• 薄膜磁性体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-243983   出願人：三菱電機株式会社
• 磁気メモリ装置及びその読み出し方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-016635   出願人：富士通株式会社
• 磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-170765   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-241132   出願人：株式会社東芝
• 磁気記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-135422   出願人：富士通株式会社