特許
J-GLOBAL ID:200903007987899565
半導体ウエハ用研磨パッド及びこれを備える半導体ウエハ用研磨複層体並びに半導体ウエハの研磨方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
小島 清路
, 谷口 直也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-296798
公開番号(公開出願番号):特開2004-134539
出願日: 2002年10月09日
公開日(公表日): 2004年04月30日
要約:
【課題】研磨性能を低下させることなく、光学式の終点検出を行うことができる半導体ウエハ用研磨パッド及び半導体ウエハ用研磨複層体並びに半導体ウエハの研磨方法を提供する。【解決手段】本研磨パッドは、表裏に貫通する貫通孔を備える研磨パッド用基体11と、貫通孔内に嵌合された透光性部材12とを備え、透光性部材は非水溶性マトリックス材(1,2-ポリブタジエン)と、非水溶性マトリックス材中に分散された水溶性粒子(β-シクロデキストリン)とを含有し、非水溶性マトリックス材と水溶性粒子との合計を100体積%とした場合に、水溶性粒子は5体積%未満である。また、本研磨複層体は、上記研磨パッドの裏面側に支持層を備える。これら本研磨パッド及び本研磨複層体は、裏面側に固定用層13を備えることができる。【選択図】 図13
請求項(抜粋):
表裏に貫通する貫通孔を備える研磨パッド用基体と、該貫通孔内に嵌合された透光性部材とを備え、該透光性部材は非水溶性マトリックス材と、該非水溶性マトリックス材中に分散された水溶性粒子とを含有し、該非水溶性マトリックス材と該水溶性粒子との合計を100体積%とした場合に、該水溶性粒子は0.1体積%以上且つ5体積%未満であることを特徴とする半導体ウエハ用研磨パッド。
IPC (4件):
H01L21/304
, B24B37/00
, B24B37/04
, C08J5/14
FI (5件):
H01L21/304 622F
, H01L21/304 622S
, B24B37/00 C
, B24B37/04 K
, C08J5/14
Fターム (23件):
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CA01
, 3C058CB01
, 4F071AA12
, 4F071AA15
, 4F071AA26
, 4F071AA28
, 4F071AA33
, 4F071AA40
, 4F071AA42
, 4F071AA53
, 4F071AA54
, 4F071AA75
, 4F071AA78X
, 4F071AB13
, 4F071AB18
, 4F071AB22
, 4F071AE13
, 4F071AF22
, 4F071AF30
, 4F071AH12
, 4F071DA17
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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