特許
J-GLOBAL ID：200903008414663970

高電子移動度トランジスタ

発明者：
池田 成明

池田 成明 について

, 
吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-041557
公開番号（公開出願番号）：特開2005-235935
出願日： 2004年02月18日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】ノーマリーオフの特性の実現ができ、ソース-ドレイン間の抵抗が低い高電子移動度トランジスタの実現を目的とする。【解決手段】窒化物系化合物半導体からなる高電子移動度トランジスタにおいて、少なくとも電子走行層と電子供給層から成るヘテロ接合構造と、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極とを有し、 前記電子走行層3と前記電子供給層4の間に前記電子供給層4よりもバンドギャップエネルギーの大きな窒化物系化合物半導体からなる中間層7を有し、 かつ、前記電子走行層3は不純物がドーピングされ、前記中間層7と前記電子走行層3との界面近傍においては、前記不純物の濃度の最高点が存在しないことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体からなる高電子移動度トランジスタにおいて、少なくとも電子走行層と電子供給層から成るヘテロ接合構造と、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極とを有し、 前記電子走行層と前記電子供給層の間に前記電子供給層よりもバンドギャップエネルギーの大きな窒化物系化合物半導体からなる中間層を有し、 かつ、前記電子走行層には不純物がドーピングされ、前記中間層と前記電子走行層との界面近傍においては、前記不純物の濃度の最高点が存在しないことを特徴とする。
IPC (3件)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (18件)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC16 ,  5F102HC19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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