特許
J-GLOBAL ID：200903008490219940
プラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-223687
公開番号（公開出願番号）：特開平11-149994
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ処理の終点を迅速かつ正確に検出することが可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室102内には,ウェハWを載置したサセプタ108と上部電極110が対向配置される。処理室102の側壁には,各々上部電極110とサセプタ108に各高周波電力を印加して,処理室102内にプラズマPを励起する。プラズマPのプラズマ光を検出窓130を介して光受容部148で検出し,データをサンプリングする。演算制御器146において,サンプリングデータをワイブル分布関数に基づいてフィッティングし,さらに微分値を求める。フィッティングデータの波形と微分値の波形からエッチング処理の終点を検出する。
請求項（抜粋）：
処理室内において被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の該プラズマ処理方法であって:前記プラズマ処理の進行に応じて変化する測定可能値をサンプリングするサンプリング工程と;前記サンプリングデータを前記プラズマ処理の種類に応じて予め設定された標本分布関数に基づいてフィッティングし,終点予測プロフィルを求めるフィッティング工程と;前記終点予測プロフィルに基づいて前記プラズマ処理を終了すべき仮想終点を導出する予測工程と;前記仮想終点に基づいてプラズマ処理を終了すべきかを判定する終点判定工程と;を含むことを特徴とする,プラズマ処理方法。
IPC (4件)：
H05H 1/00
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
H05H 1/00 A
, C23F 4/00 F
, H05H 1/46 A
, H01L 21/302 E
