特許

J-GLOBAL ID：200903008612278101

メモリ膜およびその製造方法、並びにメモリ素子、半導体記憶装置、半導体集積回路および携帯電子機器

発明者： 岩田 浩 ,  柴田 晃秀 ,  洗 暢俊 ,  小倉 孝之 ,  足立 浩一郎 ,  柿本 誠三
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-261629
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068896
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 低電圧で動作可能な、メモリ膜を提供すること。【解決手段】 第1の電極となる半導体基板211と、半導体基板211上に形成された第1の絶縁膜212と、第1の絶縁膜212上に形成された第1の導電体膜213と、第1の導電体膜213上に形成された第2の導電体からなる微粒子221を含む窒化シリコン膜231と、シリコン窒化膜231上に形成された第2の電極となる第3の導電体膜219とを備える。

請求項（抜粋）：

第1の電極となる半導体基板と、上記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、上記第1の絶縁膜上に形成された第1の導電体膜と、上記第1の導電体膜上に形成された、シリコン窒化膜と第2の導電体膜とからなる積層膜と、上記積層膜上に形成された第2の絶縁膜と、上記第2の絶縁膜上に形成された第2の電極となる第3の導電体膜とからなることを特徴とするメモリ膜。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (23件)：

5F083EP17 ,  5F083EP23 ,  5F083EP79 ,  5F083ER30 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083HA02 ,  5F083JA53 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR21 ,  5F083PR39 ,  5F101BA45 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BD34 ,  5F101BD36 ,  5F101BE06 ,  5F101BE07 ,  5F101BH02 ,  5F101BH05

引用特許：

審査官引用 (7件)

• メモリデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-313309   出願人：株式会社日立製作所
• フラッシュメモリセルの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-197975   出願人：現代電子産業株式会社
• 半導体不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-258710   出願人：ソニー株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-313314   出願人：ローム株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-102676   出願人：富士通株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-187580   出願人：新日本製鐵株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-357917   出願人：ソニー株式会社