配線膜の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：梶良之 , 須原誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-231595
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071960
出願日： 2002年08月08日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】絶縁膜の孔の径:0.15μm未満且つアスペクト比:3以上という厳しい条件の場合であっても、この孔に配線膜を埋め込む(充填する)ことができる配線膜の形成方法を提供する。【解決手段】(1) 基板上の絶縁膜(孔を有する)の上に、金属よりなる配線膜をスパッタリング法により成膜した後、この配線膜を加圧加熱処理することにより前記孔の内部に充填する配線膜の形成方法において、前記スパッタリング法により成膜する際の基板温度を-40〜-5°Cとすることを特徴とする配線膜の形成方法、(2) この配線膜の形成方法において、スパッタリング法により成膜する際の雰囲気ガスとして水素ガスを混合した不活性ガスを用いることとしたものなど。【選択図】図なし

請求項（抜粋）：

基板上の、孔を有する絶縁膜の上に、金属よりなる配線膜をスパッタリング法により成膜した後、この配線膜を加圧加熱処理することにより前記孔の内部に充填する配線膜の形成方法において、前記スパッタリング法により成膜する際の基板温度を-40〜-5°Cとすることを特徴とする配線膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L21/285 , H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/285 S , H01L21/90 A

Fターム (33件)：

4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB32 , 4M104DD37 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH14 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK01 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ86 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW04 , 5F033XX04

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-238905 出願人：ソニー株式会社
金属層形成方法及び配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-198315 出願人：三星電子株式会社
半導体装置の薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-186524 出願人：三星電子株式会社

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