特許
J-GLOBAL ID:200903008684847640
アクティブマトリクス式有機発光ダイオード表示装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 小林 良博
, 西山 雅也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-177695
公開番号(公開出願番号):特開2004-031350
出願日: 2003年06月23日
公開日(公表日): 2004年01月29日
要約:
【課題】有機発光ダイオード表示装置の光出力を高めること。【解決手段】基板;該基板の上に形成された薄膜トランジスタ(TFT)層;周期的格子構造を画定する層;該周期的格子構造の上に形成され、かつ、該格子構造に整合する第1電極層;該第1電極層の上に形成され、かつ、該格子構造に整合する有機発光ダイオード(OLED)材料層;及び該OLED材料層の上に形成され、かつ、該格子構造に整合する第2電極層を含んで成り、該第1電極層及び/又は該第2電極層が金属層であることにより該周期的格子構造が該金属電極層において表面プラズモンクロスカプリングを誘発することを特徴とする、アクティブマトリクス式有機発光ダイオード表示装置。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
a) 基板;
b) 該基板の上に形成された薄膜トランジスタ(TFT)層;
c) 該TFT層の上に形成された、周期的格子構造を画定する絶縁層;
d) 該絶縁層の上に形成され、かつ、該格子構造に整合する第1電極層;
e) 該第1電極層の上に形成され、かつ、該格子構造に整合する有機発光ダイオード材料層;及び
f) 該有機発光ダイオード材料層の上に形成され、かつ、該格子構造に整合する第2電極層
を含んで成り、該第1電極層及び/又は該第2電極層が金属層であることにより該周期的格子構造が該金属電極層において表面プラズモンクロスカプリングを誘発することを特徴とする、上面発光型アクティブマトリクス式有機発光ダイオード表示装置。
IPC (4件):
H05B33/14
, G09F9/30
, H05B33/02
, H05B33/24
FI (5件):
H05B33/14 A
, G09F9/30 338
, G09F9/30 365Z
, H05B33/02
, H05B33/24
Fターム (11件):
3K007AB03
, 3K007BA06
, 3K007CC00
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 5C094AA10
, 5C094BA03
, 5C094BA29
, 5C094CA19
, 5C094DA15
, 5C094EA04
引用特許:
引用文献:
前のページに戻る