特許
J-GLOBAL ID：200903008734300680
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 川端 純市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-016478
公開番号（公開出願番号）：特開2009-176386
出願日： 2008年01月28日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】冗長領域のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、従来技術に比較して冗長効率を上げることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】メモリセルアレイ10は、正規領域Aと、正規領域Bと、冗長領域Rとを備え、冗長領域Rは正規領域Aと正規領域Bとの間に配置され、冗長領域Rの冗長ビット線RBL1〜RBLiからのデータをセンスするための専用のメインアンプ回路21Rと、メインアンプ回路21Rに接続されるページバッファ回路11の回路部11R及び列パスゲート回路14の回路部14Rと、メインアンプ回路21Rからのデータ信号を、正規領域A又は正規領域Bからのデータ信号に代えて選択的に出力するための2個のマルチプレクサ19A,19Bを備える。これにより、1個の冗長慮域Rを2個の正規領域A,Bで共用可能に構成した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数のビット線と複数のワード線との各交差点においてメモリセルを接続してなる不揮発性のメモリセルアレイにおいて、正規領域と、上記正規領域の不良時に代替となる冗長領域とを備えるとともに、上記正規領域及び上記冗長領域のビット線上のデータ信号を検出してデータ線に出力するセンスアンプを備えた不揮発性半導体記憶装置において、
第1の正規領域と第2の正規領域との間に、冗長領域を配置し、
上記第1の正規領域のビット線上のデータ信号を検出して第1のデータ線に出力する第1のセンスアンプと、
上記第2の正規領域のビット線上のデータ信号を検出して第2のデータ線に出力する第2のセンスアンプと、
上記冗長領域のビット線上のデータ信号を検出して第3のデータ線に出力する第3のセンスアンプと、
上記第1のデータ線と上記第3のデータ線のいずれか1つを選択する第1の選択手段と、
上記第2のデータ線と上記第3のデータ線のいずれか1つを選択する第2の選択手段とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C29/00 603F
, G11C17/00 639A
5B125BA02
, 5B125CA07
, 5B125DE09
, 5B125EA05
, 5B125FA02
, 5L106AA10
, 5L106CC02
, 5L106CC17
, 5L106EE02
, 5L106GG01
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (1件)
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