特許
J-GLOBAL ID：200903008735566535

マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器

発明者：
四谷 真一

四谷 真一 について

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梅津 一成

梅津 一成 について

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澤木 大輔

澤木 大輔 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-114682
公開番号（公開出願番号）：特開2003-308972
出願日： 2002年04月17日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：
【要約】【課題】 高精細なマスクを製造することにある。【解決手段】 複数の貫通穴20であってそれぞれが第1の開口22とそれよりも大きい第2の開口24が連通してなる複数の貫通穴20を基板10に形成する。基板10の第1の面12に第1の開口22に対応するように耐エッチング膜30を形成し、基板10の第1の面12とは反対側の第2の面14では、2つ以上の第2の開口24を形成する領域が連続的に露出するように、複数の貫通穴20の形成領域を露出させる。それぞれの貫通穴20の形成領域に、小貫通孔36を形成する。基板10の第1及び第2の面12,14の両方から、結晶の面方位依存性があるエッチングを進める。
請求項（抜粋）：
複数の貫通穴であってそれぞれが第1の開口と前記第1の開口よりも大きい第2の開口が連通してなる複数の貫通穴を基板に形成することを含むマスクの製造方法であって、前記方法は、(a)前記基板の第1の面に前記第1の開口に対応するように耐エッチング膜を形成し、前記基板の前記第1の面とは反対側の第2の面では、2つ以上の前記第2の開口を形成する領域が連続的に露出するように、前記複数の貫通穴の形成領域を露出させ、(b)それぞれの前記貫通穴の形成領域に、それぞれの前記貫通穴よりも小さい貫通孔を形成し、(c)前記基板の前記第1及び第2の面の両方から、結晶の面方位依存性があるエッチングを進めることを含むマスクの製造方法。
IPC (3件)：
H05B 33/10 ,  C23C 14/04 ,  H05B 33/14
FI (3件)：
H05B 33/10 ,  C23C 14/04 A ,  H05B 33/14 A
Fターム (7件)：
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029BA62 ,  4K029CA01 ,  4K029DB06 ,  4K029HA03
引用特許：
出願人引用 (7件)
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