特許
J-GLOBAL ID:200903008769389896
半導体装置試験用コンタクタ及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-080974
公開番号(公開出願番号):特開2001-266983
出願日: 2000年03月22日
公開日(公表日): 2001年09月28日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、微細な端子を有するLSIの試験に使用されるコンタクタ及びその製造方法に関し、低コストで多数のプローブが形成可能であり、良好な耐熱性と数百回の機械的寿命を有し、且つ、高速動作試験を行うことができるコンタクタ及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 コンタクタ20はLSI6と配線基板8との間に配置されて、これらをコンタクト電極22により電気的に接続する。コンタクト電極22は、絶縁基板24上に設けられた導電層により形成され、半導体装置6の電極6aに接触するLSI側コンタクト片22b1と、配線基板8の電極端子8aに接触する配線基板側コンタクト片22b2と、これらを電気的に接続するリング部22aとを有する。
請求項(抜粋):
半導体装置と試験用基板との間に配置されて、該半導体装置を該試験用基板に電気的に接続するためのコンタクタであって、絶縁基板と、該絶縁基板上に設けられた導電層により形成されたコンタクト電極とよりなり、該コンタクト電極は、前記半導体装置の電極に接触する第1のコンタクト片と、前記試験用基板の電極端子に接触する第2のコンタクト片と、該第1のコンタクト片と該第2のコンタクト片とを電気的に接続する接続部とよりなることを特徴とするコンタクタ。
IPC (7件):
H01R 12/32
, G01R 1/073
, G01R 31/26
, H01L 21/66
, H01R 11/01
, H01R 33/76
, H01R 43/00
FI (7件):
G01R 1/073 B
, G01R 31/26 J
, H01L 21/66 D
, H01R 11/01 A
, H01R 33/76
, H01R 43/00 H
, H01R 9/09 A
Fターム (30件):
2G003AA00
, 2G003AA10
, 2G003AC01
, 2G003AG03
, 2G003AG04
, 2G003AG07
, 2G003AG12
, 2G011AA01
, 2G011AA15
, 2G011AB08
, 2G011AC14
, 2G011AC21
, 2G011AE03
, 2G011AE22
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106AD08
, 4M106AD09
, 4M106AD10
, 4M106BA01
, 4M106DD03
, 5E024CA18
, 5E024CB04
, 5E051CA10
, 5E077BB28
, 5E077BB31
, 5E077CC22
, 5E077DD14
, 5E077JJ20
, 5E077JJ30
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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