特許
J-GLOBAL ID：200903008803516118
窒化物半導体下地基板、窒化物半導体積層基板および窒化物半導体自立基板、並びに窒化物半導体下地基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-240476
公開番号（公開出願番号）：特開2009-067658
出願日： 2007年09月18日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【課題】異種材料基板剥離のための中間層と自立基板となる第二の窒化物半導体層との結合を低減でき、GaN等の窒化物半導体自立基板の製造の歩留りを向上する方法を提供する。【解決手段】窒化物とは異なる異種材料基板1に転位密度が1.0×1010/cm2以上である第一の窒化物半導体層2を形成した窒化物半導体下地基板上に、異種材料基板剥離用の中間層3と第二の窒化物半導体層4とが積層された窒化物半導体積層基板である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物とは異なる異種材料基板上に第一の窒化物半導体層を有し、前記第一の窒化物半導体層の上に、前記異種材料基板剥離用の中間層と第二の窒化物半導体層とを形成するために用いられる窒化物半導体下地基板であって、前記第一の窒化物半導体層の転位密度が1.0×1010/cm2以上であることを特徴とする窒化物半導体下地基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (20件)：
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077DB04
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EF02
, 4G077EF03
, 4G077FJ03
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TA07
, 4G077TB02
, 4G077TC05
, 4G077TC14
, 4G077TC16
, 4G077TK01
, 4G077TK08
, 4G077TK11
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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