特許
J-GLOBAL ID：200903068039406747

III族窒化物半導体発光素子

発明者：
宇田川 隆

宇田川 隆 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322456
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150957
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 比較的長波長の可視光を発するIII 族窒化物発光素子を得るために、結晶性に劣る高インジウム組成比の窒化ガリウム・インジウムを活性層とすると、強度的に優れる発光素子が得られ難い問題点を解決する。【解決手段】 発光層を超格子構造を下地層として設け、発光層の結晶性を向上させる。また、発光層と上部接合層との界面での結晶組成の急峻性を確保して、発光層内に長波長の発光をもたらすに都合の良い、バンドの曲折部を形成する。
請求項（抜粋）：
単結晶基板の一表面上に形成されたn形クラッド層とp形クラッド層と、該n形およびp形クラッド層の間に設けられたIII 族窒化物半導体結晶層からなる発光層とを有する、pn接合型のダブルヘテロ(DH)接合構造のIII 族窒化物半導体発光素子において、該発光層が、n形クラッド層側に配置された、III 族構成元素の組成比を相違し且つ層厚を略同一とするn形III 族窒化物半導体結晶層を交互に重層させてなる、積層周期数を2対以上25対以下とした超格子構造と、該超格子構造のp形クラッド層側の終端に配置された層(上部終端層)の上に設けられた、バンドの曲折に因る非矩形のポテンシャル構成を有する、n形のIII 族窒化物半導体結晶層からなる活性層とを有することを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 677
Fターム (9件)：
5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F073AA74 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 窒化物半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-314339   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-038259   出願人：株式会社東芝
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-293580   出願人：ソニー株式会社
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