特許
J-GLOBAL ID：200903009146588240

半導体装置の製造方法

発明者：
黒澤 哲也

黒澤 哲也 について

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相良 潤也

相良 潤也 について

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田久 真也

田久 真也 について

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桐谷 美佳

桐谷 美佳 について

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清水 紀子

清水 紀子 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-107406
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270282
出願日： 2007年04月16日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】ダイシング不良と半導体チップの薄厚化による問題を抑制でき、低コストで高品質な半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】素子形成が終了した半導体ウェーハ100の素子形成面側に、ダイシングラインに沿って溝120を形成し、この素子形成面に粘着性テープ24を貼り付ける。半導体ウェーハの裏面側を除去して薄厚化すると同時に個片化し、この個片化した半導体ウェーハの裏面側に接着剤150を塗布する。その後、複数の吸着エリアに分離された多孔質材からなるウェーハ吸着部を有する保持テーブル3で吸着固定して粘着性テープ24を剥がす。この際、剥離が進むにしたがって吸着エリアと吸引経路を切り替える。そして、粘着性テープの剥離終了後に、個々の半導体チップ1を吸着コレットでピックアップする。【選択図】 図15
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハの表面に素子を形成する工程と、 素子形成の終了した半導体ウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って溝を形成する工程と、 前記半導体ウェーハの素子形成面に粘着性テープを貼り付ける工程と、 前記半導体ウェーハの素子形成面の裏面側を少なくとも前記溝に達する深さまで除去して前記半導体ウェーハを個片化する工程と、 個片化された半導体ウェーハの裏面に接着剤を塗布する工程と、 個片化された半導体ウェーハを、粘着性テープの剥離方向に対して、少なくとも2つの吸着エリアに分離された多孔質材からなるウェーハ吸着部を備える保持テーブルに載置し、前記吸着エリアに対応して設けられた第1の吸引経路で吸引して吸着固定する工程と、 前記粘着性テープの端部を引いて剥離する工程と、 隣接する吸着エリア近傍の粘着性テープの一部が剥離されたときに、前記吸着エリアに対応する第2の吸引経路に切り換えて前記半導体ウェーハを吸着固定する工程と、 前記粘着性テープの剥離終了後に、前記保持テーブルと吸着コレットとを相対的に移動させ、ピックアップの対象となる半導体チップ上に前記吸着コレットを移動させる工程と、 前記個々の半導体チップを前記吸着コレットで吸着してピックアップする工程と を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/67
FI (4件)：
H01L21/78 P ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/78 M ,  H01L21/68 E
Fターム (12件)：
5F031CA02 ,  5F031CA13 ,  5F031DA15 ,  5F031FA03 ,  5F031FA07 ,  5F031GA23 ,  5F031HA14 ,  5F031HA78 ,  5F031MA34 ,  5F031MA37 ,  5F031MA38 ,  5F031MA39
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特公平7-15087号公報
審査官引用 (5件)
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