特許
J-GLOBAL ID：200903009264613640

半導体装置

発明者：
池田 良成

池田 良成 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-301427
公開番号（公開出願番号）：特開2007-110001
出願日： 2005年10月17日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】半導体チップ/絶縁基板間の接合部について、半導体チップの中央部下付近の接合層に熱劣化が原因で亀裂が発生するのを抑制し、併せて半導体チップ/絶縁基板間の伝熱性を向上させて長期信頼性の向上が図れるように接合構造を改良する。【解決手段】絶縁基板の回路パターン2bの上に鉛フリー半田を適用して半導体チップ3を半田マウントした半導体装置において、半導体チップ/回路パターン間の半田接合面を半導体チップの中央部下に対応する中央面域と該中央面域を囲む外周面域とに分け、かつ回路パターンには前記中央面域に対応して台形状の凸部2b-1を形成した上で、半導体チップ/回路パターン間をリフロー半田付けする。これにより、半導体チップの中央部下の半田接合層は厚さが薄く、該部における伝熱抵抗も小さくなって熱劣化,亀裂発生を抑制でき、また熱膨張係数差に起因する剪断応力が集中する外周部では厚い半田層が応力を吸収緩和し、その結果としてパワーサイクル耐性,長期信頼性が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板の回路パターン上に鉛フリー半田を適用して半導体チップを半田マウントした半導体装置において、 半導体チップ/回路パターン間の半田接合面を半導体チップの中央部下に対応する中央面域と、該中央面域を囲む外周面域とに分け、かつ回路パターンには前記中央面域に対応して台形状の凸部を形成した上で、半導体チップ/回路パターン間をリフロー半田付けしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/52 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L21/52 A ,  H01L23/12 F
Fターム (7件)：
5F047AA13 ,  5F047AA17 ,  5F047AB06 ,  5F047BA06 ,  5F047BA51 ,  5F047BA52 ,  5F047BC40
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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