パターン形成方法、薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-081013
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311325
出願日： 2005年03月22日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。【解決手段】本発明のパターン形成方法の一は、透光性を有する基板上にマスクを形成し、基板及びマスク上に、光触媒物質を有する第1の領域を形成し、光を基板を通過させて、光触媒物質に照射して、第1の領域の一部を改質し、第2の領域を形成し、第2の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出し、パターンを形成し、マスクは光を通過させない。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透光性を有する基板上にマスクを形成し、前記基板及びマスク上に、光触媒物質を有する第1の領域を形成し、光を前記基板を通過させて、前記光触媒物質に照射して、前記第1の領域の一部を改質し、第2の領域を形成し、前記第2の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出し、パターンを形成し、前記マスクは前記光を通過させないことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (7件)：

H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786 , H05B33/10 , H05B33/14

FI (8件)：

H01L21/88 B , H01L21/28 A , H01L21/288 Z , H05B33/10 , H05B33/14 A , H01L29/78 617J , H01L29/78 616K , H01L29/78 627C

Fターム (162件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104DD21 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F033GG04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033PP26 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ00 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ48 , 5F033QQ52 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033QQ85 , 5F033QQ99 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033VV15 , 5F033XX33 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC03 , 5F110CC04 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD11 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE15 , 5F110EE27 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG51 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP06 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ12 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体層への不純物の導入方法、および薄膜トランジスタ並びに半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-052460 出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (11件)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-277118 出願人：コニカ株式会社
光触媒体を用いた画像形成材料および画像形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-091206 出願人：共同印刷株式会社, 中島章, 渡部俊也, 橋本和仁, 藤嶋昭
パターン形成体の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-064282 出願人：大日本印刷株式会社

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