薄膜ガスセンサおよびその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：山口巖 , 駒田喜英 , 松崎清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-184535
公開番号（公開出願番号）：特開2005-017182
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】高温高湿下でもセンサ抵抗値の経時安定性が優れた、電池駆動式の薄膜ガスセンサを提供する。【解決手段】薄膜状の支持膜の外周部または両端部をSi基板により支持し、外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイアフラム様の支持基板1,2上に薄膜のヒータ3を形成し、この薄膜のヒータ3を絶縁層4で覆い、その上にガス感知膜用の電極5を形成し、さらに半導体薄膜からなるガス感知層(SnO2)6を形成し、ガス感知層6を被覆するように選択燃焼層7を形成した薄膜ガスセンサにおいて、ガス感知層6の表面層にPd,Ptなどの貴金属触媒を担持させることにより、経時変化安定性を保有させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

薄膜状の支持膜の外周または両端部をSi基板により支持し、外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイアフラム様の支持基板上に薄膜のヒータを形成し、この薄膜のヒータをSiO2を含む電気絶縁膜で覆い、その上にガス感知膜用の電極を形成し、さらに貴金属触媒とSnO2を主成分とする薄膜からなるガス感知膜を形成した後、その最表面にガス感知膜を完全に被覆するように形成した触媒担持多孔質アルミナからなる触媒フィルタ層(選択燃焼層)を具備した薄膜ガスセンサにおいて、前記ガス感知膜は、SnO2感知膜の最表面層に貴金属触媒を成膜したことを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (3件)：

G01N27/16 , G01N27/04 , G01N27/12

FI (5件)：

G01N27/16 B , G01N27/04 F , G01N27/12 B , G01N27/12 C , G01N27/12 M

Fターム (55件)：

2G046AA11 , 2G046AA19 , 2G046BA01 , 2G046BA04 , 2G046BA06 , 2G046BA09 , 2G046BB02 , 2G046BB04 , 2G046BC05 , 2G046BD03 , 2G046BD05 , 2G046BD06 , 2G046BE03 , 2G046BF01 , 2G046DA05 , 2G046DB01 , 2G046DB04 , 2G046DB05 , 2G046DC13 , 2G046DD01 , 2G046DD03 , 2G046EA02 , 2G046EA04 , 2G046EA08 , 2G046EA09 , 2G046EA10 , 2G046EA12 , 2G046FB02 , 2G046FE03 , 2G046FE29 , 2G046FE31 , 2G046FE38 , 2G046FE39 , 2G046FE41 , 2G046FE46 , 2G060AA01 , 2G060AB08 , 2G060AB17 , 2G060AE19 , 2G060AF07 , 2G060AG10 , 2G060BA01 , 2G060BB02 , 2G060BB09 , 2G060BB12 , 2G060BB14 , 2G060BB18 , 2G060HA01 , 2G060HB03 , 2G060HB05 , 2G060HB06 , 2G060HC09 , 2G060HD03 , 2G060HE02 , 2G060JA01

引用特許：

出願人引用 (7件)

水素ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-292656 出願人：富士電機株式会社
特開平3-259736
薄膜ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-033325 出願人：富士電機株式会社

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審査官引用 (7件)

水素ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-292656 出願人：富士電機株式会社
特開平3-259736
薄膜ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-033325 出願人：富士電機株式会社

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