特許
J-GLOBAL ID：200903009323411665

薄膜形成方法及び装置

発明者：
佐藤 昇男

佐藤 昇男 について

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町田 克之

町田 克之 について

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生津 英夫

生津 英夫 について

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亀井 敏和

亀井 敏和 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について

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エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社

エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-158225
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329226
出願日： 2006年06月07日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：
【課題】貼り合わてせてから加熱処理する薄膜により、膨出部や破損部などが発生しない状態で、封止ができるようにする。【解決手段】樹脂膜102が被着(転写)されたシリコン基板103を、オーブン(加熱処理装置)110の処理室111内部に搬入し、処理室111の内部温度を、室温(約20°C)から5.5°C/minの速度で昇温する。処理室111の内容積は1リットルである。このとき、処理室111の内部温度と処理室111の内部圧力(処理圧力)とが、「内部圧力=大気圧×(273+内部温度)/(273+開始温度)」で示される関係が保持されるように、処理室111の内部圧力を上昇させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シートフィルムの上に樹脂膜が形成された状態とする第1工程と、 キャビティ部が形成された基板の前記キャビティ部が形成されているキャビティ部形成面の上に前記シートフィルムの前記樹脂膜が被着された状態とする第2工程と、 前記キャビティ部形成面に被着された前記樹脂膜より前記シートフィルムが剥離された状態とする第3工程と、 前記樹脂膜が加熱されるとともに、前記樹脂膜の表面に前記基板の側への圧力が加えられた状態とする第4工程と を少なくとも備え、 前記第4工程の加熱により前記樹脂膜が硬化された状態とし、硬化した前記樹脂膜により前記キャビティ部が封止された状態とする ことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 23/02 ,  H01L 23/10 ,  B81C 3/00
FI (3件)：
H01L23/02 J ,  H01L23/10 B ,  B81C3/00
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 薄膜形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-108123   出願人：日本電信電話株式会社
  • MEMSの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-046878   出願人：日本電信電話株式会社
審査官引用 (6件)
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