半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-252467
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097532
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】低誘電率の絶縁膜を有する半導体集積回路装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】主表面上に複数の配線が形成された基板を有し、基板の主表面の上に、配線を覆うように絶縁膜が形成されている。絶縁膜は、籠状の分子構造部分を有する低誘電率組成物を含む。

請求項（抜粋）：

主表面上に複数の配線が形成された基板と、前記基板の主表面の上に、前記配線を覆うように形成され、籠状の分子構造部分を有する低誘電率組成物を含む絶縁膜とを有する半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/312

FI (2件)：

H01L 21/90 V , H01L 21/312 A

引用特許：

審査官引用 (9件)

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