半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 竹内祐二 , 今江克実 , 原田智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-011703
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266263
出願日： 2004年01月20日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】低誘電率層となる界面層の形成を抑えて、化学量論組成を持つ絶縁性金属酸化物膜を得られるようにする。【解決手段】非酸化性雰囲気中において、シリコン基板1の上に金属膜12を堆積する。続いて、酸素ラジカル13を用いて金属膜12を酸化させることにより、ゲート絶縁膜となる金属酸化膜2を形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

非酸化性雰囲気中において、シリコン領域の上に金属膜を堆積する工程と、酸素ラジカルを用いて前記金属膜を酸化させることにより、ゲート絶縁膜となる金属酸化膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/316 , H01L29/78

FI (2件)：

H01L21/316 C , H01L29/78 301G

Fターム (22件)：

5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF54 , 5F058BF73 , 5F058BH02 , 5F058BJ01 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BE01 , 5F140BE02 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE16

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-197843 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-019704 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-041343 出願人：株式会社東芝

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