特許
J-GLOBAL ID：200903009417454333

ポジ型フォトレジスト組成物

発明者：
水谷 一良

水谷 一良 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-298605
公開番号（公開出願番号）：特開2001-117233
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも矩形形状を有するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少ないポジ型フォトレジスト組成物の提供。【解決手段】 下記一般式(I)で表される繰り返し単位と、例えば(IIa)の繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、上記成分を溶解する有機溶剤、有機塩基性化合物、並びにフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤、及びノニオン系界面活性剤を含有する事を特徴とする。式(I)中、R1〜R3は、アルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、などを、nは0または1を表す。式(IIa)中、Yは水素原子、メチル基などから選ばれる基を、Lは単結合もしくは2価の連結基を、Qは水素原子または酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位と、下記一般式(IIa)及び(IIb) のうち少なくともいずれかで表される繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)上記(A)、(B)を溶解する有機溶剤(D)有機塩基性化合物、(E)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤、及びノニオン系界面活性剤のうち少なくとも1種を含有する事を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。一般式(I)【化1】式(I)中、R1〜R3は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。nは0または1を表す。一般式(IIa)【化2】式(IIa)中、Yは水素原子、メチル基、シアノ基、塩素原子から選ばれる基を表す。Lは単結合もしくは2価の連結基を表す。Qは水素原子または酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。一般式 (IIb)【化3】式(IIb)中、X1とX2は、それぞれ独立に酸素原子、イオウ原子、-NH-、-NHSO2-から選ばれた基を表す。L1とL2は、それぞれ独立に単結合もしくは2価の連結基を表す。A1は、-Q又は-COOQを表すが、X1が酸素原子で、L1が単結合を表す場合にはA1は-Qを表す。A2は水素原子、シアノ基、水酸基、-COOH、-COOR'、-CO-NH-R''、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良い環状炭化水素基、アルコキシ基、又は-COOQを表す(ここでR'、R''はそれぞれ独立に、置換基を有していても良いアルキル基を表す。)。Qは酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。
IPC (4件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 504 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 504 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (21件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB13 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BF03 ,  2H025BF30 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB34 ,  2H025CB42 ,  2H025CB43 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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