特許
J-GLOBAL ID：200903009463565050
横電界方式の液晶表示素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
曾我 道照
, 曾我 道治
, 古川 秀利
, 鈴木 憲七
, 梶並 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-365933
公開番号（公開出願番号）：特開2005-196162
出願日： 2004年12月17日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】ジグザグ状の電極が折れ曲がっている部分でディスクリネーションが防止され、併せてストレージキャパシタンスが増加される横電界方式の液晶表示素子を提供する。【解決手段】本発明による横電界方式の液晶表示素子は、基板上で一側に形成されたゲート配線と、前記基板上で折れ曲がっている構造を有する共通電極と、前記共通電極が折れ曲がっている部分から一側に延長形成された第1ディスクリネーションの防止パターンと、前記ゲート配線に垂直交差するデータ配線と、前記ゲート配線およびデータ配線の交差地点に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に連結して前記共通電極に平行して折れ曲がっている構造を有する画素電極と、前記画素電極が折れ曲がっている部分から一側に延長形成される第2ディスクリネーションの防止パターンとを含んで構成される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上で一側に形成されたゲート配線と、
前記基板上で折れ曲がっている構造を有する共通電極と、
前記共通電極が折れ曲がっている部分から一側に延長形成された第1ディスクリネーションの防止パターンと、
前記ゲート配線に垂直交差するデータ配線と、
前記ゲート配線およびデータ配線の交差地点に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極に連結して前記共通電極に平行して折れ曲がっている構造を有する画素電極と、
前記画素電極が折れ曲がっている部分から一側に延長形成される第2ディスクリネーションの防止パターンと
を含んで構成されることを特徴とする横電界方式の液晶表示素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
2H092GA14
, 2H092GA15
, 2H092GA24
, 2H092HA02
, 2H092JA24
, 2H092JB13
, 2H092JB64
, 2H092JB69
, 2H092NA01
, 2H092NA04
