特許
J-GLOBAL ID：200903009515904029

光半導体素子とその製造方法

発明者：
為本 広昭

為本 広昭 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-227869
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043623
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：
【要約】【課題】電気を光に変換して放射する発光素子及び入射した光を受光して電気に変換する受光素子である光半導体素子及びその製造方法に係わり、特に、短絡乃至リーク発生の防止、基材に対して光半導体チップが傾くことの防止、乃至接合強度の向上を行うために改善された光半導体素子及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】半導体上に設けられた一対となる第1電極及び第2電極と、該一対の電極の少なくとも一部を除き被覆する絶縁保護膜とを有する光半導体素子であって、前記第1電極及び/又は第2電極と電気的に接続されると共に、該第1電極及び/又は第2電極上の前記絶縁保護膜の開口部よりも大きく、且つ前記絶縁保護膜の側面と空間を介して設けられた第3電極を有することを特徴とする光半導体素子である。
請求項（抜粋）：
半導体上の同一面側に設けられた一対となる第1電極及び第2電極と、前記各電極の上面の露出部を除いて前記半導体及び前記各電極を被覆する絶縁保護膜とを有する光半導体素子であって、前記第1電極及び/又は第2電極上に、電気的に接続されると共に、前記第1電極及び/又は第2電極の上面の前記露出部よりも大きく、且つ前記絶縁保護膜の側面と空間を介して設けられた第3電極を有することを特徴とする光半導体素子。
IPC (5件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 31/02 ,  H01L 31/10
FI (8件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 N ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 G ,  H01L 21/92 602 Q ,  H01L 21/92 604 G ,  H01L 31/02 B ,  H01L 31/10 H
Fターム (25件)：
5F041AA24 ,  5F041AA25 ,  5F041AA43 ,  5F041CA01 ,  5F041CA34 ,  5F041CA93 ,  5F041CA99 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA45 ,  5F044KK05 ,  5F044LL07 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ04 ,  5F049NA09 ,  5F049NA14 ,  5F049SE09 ,  5F049TA03 ,  5F049TA05 ,  5F049TA09 ,  5F088BA16 ,  5F088FA09 ,  5F088JA03 ,  5F088JA06 ,  5F088JA09
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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