特許
J-GLOBAL ID:200903009583888155

超強度弾性ダイヤモンド状炭素の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 後藤 洋介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-197885
公開番号(公開出願番号):特開2003-013226
出願日: 2001年06月29日
公開日(公表日): 2003年01月15日
要約:
【要約】【課題】 自由にDCL構造体の強度を通常金属から自然ダイヤモンドに近い非常に広い範囲で自由に硬度を制御し、高機能ナノ構造体を得る。【解決手段】 原料ガスとして例えばフェナントレン(C14H10)およびピレン(C16H10)ガスを用い、基板近傍に局所的に高いガス分圧維持させるためのガスノズルおよび基板上にガスを閉じこめる構造を有し、イオンビームによる照射条件を0.1〜10pAの集束イオンビーム電流量と、その時の成長速度が0.5〜5μm/分の範囲で制御する。
請求項(抜粋):
集束イオンビームによる炭化水素ガスの化学分解生成反応を利用したダイヤモンド状炭素(ダイヤモンドライクカーボン、DLC)構造体の形成方法において、前記集束イオンビームの照射量を0.1〜10pAのイオンビーム電流量でもって制御することを特徴とする超強度弾性ダイヤモンド状炭素の形成方法。
IPC (2件):
C23C 16/27 ,  C01B 31/02 101
FI (2件):
C23C 16/27 ,  C01B 31/02 101 Z
Fターム (8件):
4G046GA01 ,  4G046GB05 ,  4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030FA12 ,  4K030JA03 ,  4K030JA12 ,  4K030JA20
引用特許:
審査官引用 (4件)
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引用文献:
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