特許

J-GLOBAL ID：200903009587275140

炭化珪素製品、その製造方法、及び、炭化珪素製品の洗浄方法

発明者： 大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  佐野 純央
出願人/特許権者： 大見 忠弘 ,  株式会社アドマップ ,  三井造船株式会社
代理人 (2件)： 後藤 洋介 ,  池田 憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-281801
公開番号（公開出願番号）：特開2005-047753
出願日： 2003年07月29日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】炭化珪素を用いた半導体装置等では、理論値通りの特性が得られないことが多いため、本発明では、その原因を究明して炭化珪素の改善を図る。【解決手段】炭化珪素表面における金属不純物濃度が高いこと、その表面金属不純物濃度を1×1011(atoms/cm2)以下にすることにより、実質的に特性の劣化を防止できることを見出した。このような高い清浄度の表面を有する炭化珪素は弗酸、塩酸、又は、硫酸と過酸化水素水を含む水溶液を用いて洗浄することによって得られる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

1×1011(atoms/cm2)以下の金属不純物濃度を有する表面を備えたことを特徴とする炭化珪素製品。

IPC (4件)：

C30B29/36 ,  H01L21/304 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

FI (5件)：

C30B29/36 A ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 648Z ,  H01L29/16 ,  H01L29/78 301B

Fターム (32件)：

4G077AA03 ,  4G077BC42 ,  4G077FE19 ,  4G077FH05 ,  4G077HA11 ,  5F140AA00 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BC12 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BG02 ,  5F140BH21 ,  5F140BH22 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140CA03 ,  5F140CC03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体用炭化珪素質部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-304826   出願人：信越化学工業株式会社
• 半導体製造用部材の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-175266   出願人：東芝セラミックス株式会社
• 半導体装置の作製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-274073   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 三洋電機株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体製造用部材の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-175266   出願人：東芝セラミックス株式会社
• 半導体用炭化珪素質部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-304826   出願人：信越化学工業株式会社
• 半導体装置の作製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-274073   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 三洋電機株式会社
• 炭化ケイ素焼結体の湿式洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-348701   出願人：株式会社ブリヂストン

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Applications of high purity SiC prepared by chemical vapor deposition
• Potential of high-purity polycrystalline silicon carbide for thermistor applications