特許
J-GLOBAL ID：200903009640323747

半導体発光素子

発明者：
今野 泰一郎

今野 泰一郎 について

, 
海野 恒弘

海野 恒弘 について

, 
柴田 憲治

柴田 憲治 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-154504
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353499
出願日： 2001年05月23日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 高輝度でダイシング等による透明導電層の剥離の問題がない半導体発光素子を提供する。【解決手段】 第一導電型の基板1に、第一導電型のクラッド層2と第二導電型のクラッド層4とに挟まれた活性層3からなる発光部層12と、金属酸化物からなる透明導電層6,7又は8と、電極9,10とが形成され、透明導電層が2層以上の多層構造(透明導電層6,7の場合)を有するか、組成が徐々に変化する傾斜組成構造(透明導電層8の場合)を有する半導体発光素子。発光部層12と透明導電層との間に第二導電型の電流分散層5及び/又は化合物半導体層11が形成されているのが好ましい。
請求項（抜粋）：
第一導電型の基板に、第一導電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とに挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化物からなる透明導電層と、電極とが形成された半導体発光素子であって、前記透明導電層は2層以上の多層構造を有することを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 E
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA08 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA64 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041DA07
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (5件)
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