レーザー処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206551
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088196
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】レーザー光を用いた半導体のアニールの際に、レーザー出力を安定に保ちながらレーザー照射する技術を提供する。【構成】発振器2で発振されたレーザー光は、全反射ミラー5、6で反射され、増幅器3で増幅されて、全反射ミラー7、8でそれぞれ反射され、光学系4に入射して、線状ビームに成形される。線状ビームはミラー9で反射されて、ステージ10上の試料11に照射される。レーザーの出力エネルギーはそのレーザーが安定に出力できる範囲で固定する。全反射ミラー8と光学系4との間に、互いに透過率の異なる複数の減光フィルターを挿脱することにより、照射エネルギーを変化させる。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスが形成された基板もしくは半導体デバイスとなるべき物体が形成された基板に対して線状のレーザー光を走査しつつ照射する工程で、レーザーが最も安定に発振できるエネルギーの範囲より低いエネルギーでレーザー照射を行う場合に、減光フィルターを1枚以上用いてエネルギー調節を行うことを特徴とするレーザー処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01S 3/00

引用特許：

審査官引用 (9件)

レーザアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-287436 出願人：日新電機株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-248642 出願人：富士ゼロックス株式会社
特開昭58-056316

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