特許

J-GLOBAL ID：200903009722662906

III族窒化物半導体発光素子用のp型電極とその製造方法

発明者： 口野 啓史
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-009388
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203618
出願日： 2004年01月16日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】 p型窒化物半導体層にp型電極材料としてAgを用いる際に、p型電極材料の剥がれを防止すること。【解決手段】 III族窒化物半導体発光素子のp型半導体層4上に形成される電極7であって、前記p型半導体層4とオーミック接触するための第1のAg層8と、該第1のAg層8上に配置されたバリアメタル層9と、該バリアメタル層9上に配置された光反射用の第2のAg層10と、該第2のAg層10上に配置されたカバーメタル層11を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子用のp型電極。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物半導体発光素子のp型半導体層上に形成される電極であって、前記p型半導体層とオーミック接触するための第1のAg層と、該第1のAg層上に配置されたバリアメタル層と、該バリアメタル層上に配置された光反射用の第2のAg層と、該第2のAg層上に配置されたカバーメタル層を備えることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子用のp型電極。

IPC (3件)：

H01L33/00 ,  H01L21/28 ,  H01L29/43

FI (4件)：

H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/46

Fターム (20件)：

4M104AA04 ,  4M104BB08 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104DD64 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  5F041AA03 ,  5F041AA25 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA86 ,  5F041CA92 ,  5F041CA94 ,  5F041CB15

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 電極に銀を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-345585   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-200298   出願人：株式会社東芝
• エッチング方法及びエッチング液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-210482   出願人：ソニー株式会社, エスティ・エルシーディ株式会社, 三菱化学株式会社
• 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-120576   出願人：シャープ株式会社
• 半導体発光素子及び半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278983   出願人：シャープ株式会社