特許
J-GLOBAL ID：200903009758977172

半導体装置およびその製造方法

発明者：
鈴木 貴志

鈴木 貴志 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297040
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118922
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置に関し、エレクトロマイグレーション耐性を高めることができる配線構造およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体装置の配線構造において、高融点金属または高融点金属窒化物からなる最下層1b、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、銀または銀合金からなる最上層1aの多層膜からなる第一のスルービア5を、配線上を覆っている絶縁膜2aに開設された開口の底面を表出した最上層1aに密着するように構成する。
請求項（抜粋）：
配線と、第一のスルービアとを有し、該配線は、上面が絶縁膜で覆われ、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、銀または銀合金からなる最上層と、高融点金属または高融点金属窒化物からなる最下層とを有する多層膜からなり、該第一のスルービアは、該多層膜と同一の層構成で埋め込まれており、該絶縁膜に開設された開口の底面に表出した該最上層に密着していることを特徴とする半導体装置。
Fターム (36件)：
5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK14 ,  5F033KK17 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033XX05 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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