半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-370079
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195792
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】多結晶半導体層の膜厚の厚薄にかかわらず、高移動度を有し、かつ精度よく平坦化された表面を有する多結晶半導体層を形成する。【解決手段】基板1上にバッファ層2と非晶質半導体層3とをこの順に形成する工程と、非晶質半導体層3にエネルギを加えて溶融し、結晶化させて多結晶半導体層3aを形成する工程とを有し、バッファ層2の膜厚を調整することにより、多結晶半導体層3aの移動度を調整する。

請求項（抜粋）：

基板上にバッファ層と非晶質半導体層とをこの順に形成する工程と、前記非晶質半導体層にエネルギを加えて溶融し、結晶化させて多結晶半導体層を形成する工程とを有し、前記バッファ層の膜厚を調整することにより、前記多結晶半導体層の移動度を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/208 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/208 Z , H01L 29/78 627 G

Fターム (42件)：

5F052AA02 , 5F052CA04 , 5F052CA08 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA11 , 5F052JA01 , 5F052JA09 , 5F053AA25 , 5F053BB58 , 5F053DD01 , 5F053FF01 , 5F053GG02 , 5F053HH05 , 5F053LL05 , 5F053LL10 , 5F053PP02 , 5F053PP03 , 5F053PP08 , 5F053PP12 , 5F053RR20 , 5F110AA01 , 5F110AA18 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110GG58 , 5F110HJ13 , 5F110NN24 , 5F110PP03 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平3-145717
レーザー処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-198043 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜状半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-167502 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

全件表示

前のページに戻る