特許
J-GLOBAL ID:200903009790037386

半導体装置とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 逢坂 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-141130
公開番号(公開出願番号):特開2007-311676
出願日: 2006年05月22日
公開日(公表日): 2007年11月29日
要約:
【課題】基板に形成された貫通孔の内部に形成され基板の表裏を貫通する貫通配線を使用して信号伝送を行う際に、貫通配線の数が多く要求される場合でも、貫通孔の数を増大させることなく信号伝送を可能とする半導体装置とその製造方法を提供すること。【解決手段】 基板10A上に半導体チップ10Cが搭載されている半導体装置において、前記基板10Aを貫通する貫通孔の内側に、前記半導体チップからの配線が複数個形成され、それらの貫通配線43a、43bが前記基板の他面側に導出されている。各貫通孔の内部に形成された複数個の貫通配線によって信号伝送の配線線路を多数確保できるので、貫通孔の数を増大させることがない。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に半導体チップが搭載されている半導体装置において、前記基板を貫通する貫通孔の内側に、前記半導体チップからの配線が複数個形成され、それらの貫通配線が前記基板の他面側に導出されている半導体装置。
IPC (1件):
H01L 23/12
FI (1件):
H01L23/12 501B
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)

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