窒化物半導体積層体及びその成長方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-266570
公開番号（公開出願番号）：特開2004-099405
出願日： 2002年09月12日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】従来、窒化物半導体結晶は、有機金属化合物気相成長法でしか、高品質の結晶を成長させることができなかった。しかし、有機金属化合物気相成長法を行う装置はきわめて高価な装置である。そこで、上記有機金属化合物気相成長法よりも安価な分子線エピタキシー法においても、高品質な窒化物半導体結晶を成長させることができる結晶成長方法を提供する。【解決手段】V族面の結晶とIII族面の結晶を含む窒化物半導体の結晶成長と、V族面の結晶をIII族面に結晶へ再配列する熱処理を2回以上繰り返すことにより、基板全体を覆うバッファ層を成長させ、その後、窒化物半導体結晶を成長させる成長方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体積層体の成長方法であって、 V族面の結晶とIII族面の結晶を含む窒化物半導体の結晶成長と、 V族面の結晶をIII族面の結晶へ再配列する熱処理を行うことにより、基板全体を覆うバッファ層を成長させ、該バッファ層の上に、窒化物半導体結晶を成長させることを特徴とする窒化物半導体積層体の成長方法。

IPC (4件)：

C30B29/38 , C30B23/08 , H01L21/20 , H01L21/205

FI (4件)：

C30B29/38 D , C30B23/08 M , H01L21/20 , H01L21/205

Fターム (32件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE12 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DA06 , 4G077EF03 , 4G077SC06 , 4G077SC12 , 5F045AA05 , 5F045AA20 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AD10 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045CA02 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045HA04 , 5F045HA07 , 5F045HA16 , 5F052AA11 , 5F052DA04 , 5F052DB06 , 5F052GC03 , 5F052GC06 , 5F052GC10 , 5F052JA01 , 5F052JA07 , 5F052KA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

III族窒化物薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-366723 出願人：日本真空技術株式会社, 経済産業省産業技術総合研究所長
GaN系化合物半導体薄膜の積層構造および成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-156807 出願人：古河電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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