特許
J-GLOBAL ID：200903009849906804

半導体装置およびその製造方法

発明者：
福泉 彰

福泉 彰 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-166962
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352009
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 パワーデバイスの実装をフレキシブル性の高いラインにて製造できるようにする。安価で放熱性のよいパッケージを提供する。【解決手段】 樹脂基板1に開口を形成し開口内に導電性塗料を埋め込んで導電ポスト3を形成し、導電ポストの上下面に導電性塗料を印刷して基板電極4を形成する。ペレット5のバンプ電極6を基板電極4に接続する。半田8を用いて金属ブロック7を基板電極4に固着すると共にペレット5の裏面電極を金属ブロック7に接続する(d)。封止用金型9内に配置し、封止樹脂10により樹脂封止を行う(e)。ダイサーの刃12を用いて切断し、個片の半導体装置に分離する(f)。
請求項（抜粋）：
それぞれが導電ポストにて充填された複数のスルーホールを有する絶縁性基板と、その表面側に形成された電極がフェースダウン方式にて一部の前記導電ポストに接続された半導体素子と、その天井に前記半導体素子の裏面が固着され、その両端部が他の前記導電ポストに固着された、断面形状が概略“冂”状の金属ブロックと、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を備えた半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/28 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/29
FI (5件)：
H01L 23/28 J ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/12 501 B ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/36 A
Fターム (12件)：
4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA04 ,  4M109CA21 ,  4M109DB03 ,  5F036AA01 ,  5F036BB16 ,  5F036BB18 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F044QQ07 ,  5F044RR10
引用特許：
審査官引用 (6件)
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