特許
J-GLOBAL ID：200903009980853694
発光装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
須藤 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-012425
公開番号（公開出願番号）：特開2008-181932
出願日： 2007年01月23日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：
【課題】信頼性が高く、より小型の発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ガリウムヒ素(GaAs)等から成る第1の半導体基板1の表面上に、N型半導体層2,P型半導体層3,パッド電極4a,4b等から成る発光素子(LED)が形成されている。第1の半導体基板1の側面及び裏面に、シリコン窒化膜等の絶縁膜5が形成されている。絶縁膜5上に、第1の半導体基板1の側面と裏面の一部に沿って、パッド電極4a,4bと接続された配線層6が形成されている。絶縁膜5及び配線層6を被覆して保護層7が形成されている。保護層7の所定領域に開口部が形成され、この開口部内の配線層6上にボール状の導電端子8が形成されている。第1の半導体基板1上に、表面から裏面にかけて貫通する開口部10を有する第2の半導体基板11が、エポキシ樹脂等の接着層12を介して貼り合わされている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面上に発光素子が形成された第1の基板と、
表面から裏面にかけて貫通する開口部を有する第2の基板とを備え、
前記第1の基板の表面側と前記第2の基板の表面側とが向かい合って、接着層を介して貼り合わされ、
前記開口部を介して前記発光素子の光が外部に放射されることを特徴とする発光装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 A
, H01L33/00 C
5F041AA43
, 5F041AA47
, 5F041CA02
, 5F041CA12
, 5F041CA35
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
出願人引用 (2件)
-
発光ダイオードおよびLED照明装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-122622
出願人：東芝ライテック株式会社
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光半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-149271
出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
審査官引用 (6件)
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