特許
J-GLOBAL ID：200903009985072119
マスク、マスクブランクスおよびそれらの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-130808
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186662
出願日： 2003年05月08日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】反りが低減されたパターン位置精度の高いマスクおよびその製造方法と、反りが低減されたマスクブランクスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1の一部に形成された少なくとも1つの基板開口部と、シリコン基板の一方の面に形成された第1のシリコン酸化膜5と、第1のシリコン酸化膜上および基板開口部上に形成された単結晶シリコン層4と、基板開口部上の単結晶シリコン層の一部に形成され、露光用ビームが透過する少なくとも1つの開口部27と、シリコン基板の他方の面に形成され、少なくとも第1のシリコン酸化膜の圧縮応力に起因するシリコン基板の反りを平坦化するような内部応力を有する応力調整層3とを有するマスク、そのマスクの製造に用いるマスクブランクス、およびそれらの製造方法。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、
該シリコン基板の一部に形成された少なくとも1つの基板開口部と、
前記シリコン基板の一方の面に形成された第1のシリコン酸化膜と、
前記第1のシリコン酸化膜上および前記基板開口部上に形成された単結晶シリコン層と、
前記基板開口部上の前記単結晶シリコン層の一部に形成され、露光用ビームが透過する少なくとも1つの開口部と、
前記シリコン基板の他方の面に形成され、少なくとも前記第1のシリコン酸化膜の圧縮応力に起因する前記シリコン基板の反りを平坦化するような内部応力を有する応力調整層とを有するマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 541S
, G03F1/16 B
2H095BA08
, 2H095BA09
, 2H095BC24
, 5F056FA05
