特許
J-GLOBAL ID：200903009999097939

基板上膜の除去方法

発明者：
笹木 隆一郎

笹木 隆一郎 について


出願人/特許権者：
アイシン精機株式会社

アイシン精機株式会社 について


代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-355111
公開番号（公開出願番号）：特開2007-152420
出願日： 2005年12月08日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】基板上の膜のみを基板を損傷させることなく選択的に除去する方法を提供すること。【解決手段】超短光パルスレーザLを集光させる集光手段3を有し、集光手段3の集光点pを基板1上の膜2の基板1と膜2の界面2bから第1所定距離Dだけ膜2側に離した位置に設定する集光点設定ステップと、膜2に超短光パルスレーザLを集光照射してレーザアブレーションにより膜2を除去する除去ステップと、を有することを特徴とする基板上膜の除去方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
超短光パルスレーザを集光させる集光手段を有し、該集光手段の集光点を基板上の膜の該基板と該膜の界面から第1所定距離だけ該膜側に離した位置に設定する集光点設定ステップと、 前記膜に前記超短光パルスレーザを集光照射してレーザアブレーションにより該膜を除去する除去ステップと、 を有することを特徴とする基板上膜の除去方法。
IPC (5件)：
B23K 26/36 ,  B23K 26/04 ,  B23K 26/08 ,  B23K 26/40 ,  B23K 26/06
FI (5件)：
B23K26/36 ,  B23K26/04 C ,  B23K26/08 B ,  B23K26/40 ,  B23K26/06 Z
Fターム (5件)：
4E068AF00 ,  4E068CA03 ,  4E068CA11 ,  4E068CE03 ,  4E068DB01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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