基板処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：天野広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-042545
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172641
出願日： 2004年02月19日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】リフロー距離Lを所望の値に正確に制御することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】チャンバー101内に導入されたガスは、基板に向かって凸又は凹となる曲面状の板からなるガス吹き出し板21に形成された開口211を通って基板1に吹き付けられる。ガス吹き出し板21により、ガスは均一に基板1に吹き付けられるため、基板1の全面に渡ってリフロー距離Lを精度良く制御することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャンバー内に配置された基板に暴露処理用ガスを吹き付ける基板処理装置であって、少なくとも一つのガス導入口と少なくとも一つのガス排気口とを有するチャンバーと、前記ガス導入口を介して前記チャンバー内に暴露処理用ガスを導入するガス導入手段と、ガス分配手段と、を備え、前記ガス分配手段は、前記チャンバーの内部空間を、前記暴露処理用ガスが前記ガス導入口を介して導入される第一の空間と、前記基板が配置されている第二の空間とに分離し、前記ガス分配手段には、前記第一の空間と前記第二の空間とを連通させる複数個の開口が形成されており、前記ガス分配手段は、前記基板に向かって凸又は凹となる曲面状の板からなり、前記第一の空間に導入された前記暴露処理用ガスを前記開口を介して前記第二の空間に導入させるものであることを特徴とする基板処理装置。

IPC (1件)：

H01L21/027

FI (1件)：

H01L21/30 570

Fターム (2件)：

5F046KA10 , 5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

ポリシロキサン塗布膜の製造法及び半導体装置の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-234293 出願人：日立化成工業株式会社

審査官引用 (8件)

特開平4-215428
真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-094893 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-010828

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