特許
J-GLOBAL ID：200903010121158133
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-064601
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146772
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】キャパシタを有する半導体装置に関し、キャパシタに接続される導電性プラグとその他の導電性プラグを良好に形成すること。【解決手段】第1絶縁膜8に形成された第1、第2導電性プラグ10b、10aと、第1導電性プラグ10bを覆う島状の酸素バリアメタル層11と、第1絶縁膜8上に形成され且つ酸素バリアメタル層11の側面を覆う酸化防止絶縁層12と、酸素バリアメタル層12上と酸化防止絶縁層12上に形成された下部電極14aと、下部電極14a上に形成された誘電体層15aと、誘電体層15a上に形成された上部電極16aとを有するキャパシタQと、キャパシタQと酸化防止絶縁層12を覆う第2絶縁膜19と、第2導電性プラグ10a上であって第2絶縁膜19から酸化防止絶縁層12に形成された第3ホールと、第3ホール内に形成されて第2導電性プラグ10aに接続される第3導電性プラグ21とを含む。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
半導体基板の表層に形成された第1及び第2の不純物拡散領域と、
前記半導体基板の上方に形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層に形成された第1、第2のホールと、
前記第1のホール内に形成されて前記第1の不純物拡散領域に電気的に接続される第1導電性プラグと、
前記第2のホール内に形成されて前記第2の不純物拡散領域に電気的に接続される第2導電性プラグと、
前記第1絶縁層上であって前記第1導電性プラグ及びその周辺領域の上に形成された島状の酸素バリアメタル層と、
前記第1絶縁層上に形成され且つ前記第2導電性プラグの酸化を防止する材料からなる酸化防止層と、
前記酸素バリアメタル層の上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された上部電極とを有するキャパシタと、
前記キャパシタと前記酸化防止層を覆う第2絶縁膜と、
前記第2導電性プラグの上であって、前記第2絶縁層に形成された第3のホールと、
前記第3のホール内に形成されて前記第2導電性プラグに電気的に接続される第3導電性プラグと
を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (26件)：
5F083FR02
, 5F083JA02
, 5F083JA05
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA19
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA56
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083NA01
, 5F083PR03
, 5F083PR05
, 5F083PR21
, 5F083PR33
, 5F083PR34
, 5F083PR40
, 5F083ZA12
