特許
J-GLOBAL ID：200903054994018289
半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-212091
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054716
出願日： 1997年08月06日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 ペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物誘電体膜を有するキャパシタを備えた半導体装置とその製造方法に関し、高い誘電特性を有するペロブスカイト型酸化物誘電体膜を用いたキャパシタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上に絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する工程と、絶縁ゲート電極を覆って、第1絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜を貫通して、基板表面に達するコンタクト窓を形成する工程と、コンタクト窓内に金属プラグを埋め込む工程と、金属プラグを覆って酸素遮蔽能を有する第2絶縁膜を形成する工程と、第2絶縁膜の上にキャパシタの下部電極、ペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物誘電体の膜を形成する工程と、酸化物誘電体膜形成後、酸素雰囲気中で半導体基板をアニールする工程と、酸化物誘電体膜の上にキャパシタの上部電極を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法が提供される。
請求項（抜粋）：
第1導電型領域と第1導電型と逆の第2導電型領域とを含む半導体基板と、前記半導体基板の第1および第2導電型領域上にそれぞれ形成された第1および第2の絶縁ゲート電極構造と、絶縁ゲート電極構造の両側で前記半導体基板中に形成された第2導電型の第1対および第1導電型の第2対の不純物ドープ領域とを有する第1および第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記第1および第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを覆って、前記半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜を貫通して前記第1および第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの第1対および第2対の不純物ドープ領域の各々の少なくとも1つの不純物ドープ領域に達する少なくとも2つの金属プラグと、前記第1絶縁膜を覆って形成され、酸素遮蔽能を有する第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、ペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物誘電体膜と、前記酸化物誘電体膜上に形成され、前記下部電極、酸化物誘電体膜と共にキャパシタを形成する上部電極と、前記キャパシタを覆って半導体基板上に形成された第3絶縁膜と、前記第3絶縁膜上に延在し、前記第3絶縁膜を通る接続孔を介して前記金属プラグの1つと接続され、前記第3絶縁膜を通る接続孔を介して前記上部電極または前記下部電極に接続されたローカル配線とを有する半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
