特許
J-GLOBAL ID：200903010153589810

半導体装置の作製方法、半導体装置及び電子機器

発明者：
下村 明久

下村 明久 について

, 
桃 純平

桃 純平 について

, 
井坂 史人

井坂 史人 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-273215
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135453
出願日： 2008年10月23日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：
【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするSOI基板で、レーザ光で表面を溶融させることにより、機械的な研磨が不要な半導体装置を提供する。【解決手段】ベース基板101、絶縁層116、接合層114、半導体層115を有するSOI基板に、レーザー光122を照射することにより半導体層115上面を溶融させ、冷却、固化することで、機械的な研磨を行わなくても、平坦性が優れたSOI半導体装置を提供できる。また、レーザー光の端部が照射された領域の半導体層は半導体素子として用いずに、レーザー光の端部以外が照射された領域の半導体層を半導体素子として用いることにより、半導体装置の性能を大きく向上することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
単結晶半導体基板の主表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、 前記単結晶半導体基板の主表面に絶縁層を形成し、 前記絶縁層と、絶縁表面を有する基板とを接合させ、 前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離させることにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、 前記単結晶半導体層の一部の領域にパルスレーザー光を照射することにより、前記単結晶半導体層の欠陥を低減し、且つ、表面の平坦性を向上させ、 前記パルスレーザー光の端部以外が照射された領域の前記単結晶半導体層を用いて半導体素子の活性層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (9件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50
FI (10件)：
H01L27/12 B ,  H01L27/08 331E ,  H01L21/02 B ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 627A ,  H01L29/78 627G ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A
Fターム (191件)：
2H092HA04 ,  2H092JA25 ,  2H092JA33 ,  2H092JA36 ,  2H092JA38 ,  2H092JA46 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB13 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA08 ,  2H092MA20 ,  2H092MA30 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA11 ,  2H092PA12 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107FF08 ,  3K107FF13 ,  5F048AA07 ,  5F048AC04 ,  5F048BA10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BC18 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG07 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F110AA18 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE27 ,  5F110EE32 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL08 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110NN77 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP26 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F152AA01 ,  5F152AA10 ,  5F152AA12 ,  5F152AA13 ,  5F152AA17 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC07 ,  5F152CC08 ,  5F152CC09 ,  5F152CD12 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CE03 ,  5F152CE06 ,  5F152CE07 ,  5F152CE08 ,  5F152CE24 ,  5F152CE29 ,  5F152DD02 ,  5F152DD06 ,  5F152EE13 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF02 ,  5F152FF03 ,  5F152FF04 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF08 ,  5F152FF24 ,  5F152FF28 ,  5F152FF36 ,  5F152FF39 ,  5F152FG04 ,  5F152FG08 ,  5F152FG19 ,  5F152FG23 ,  5F152FH02 ,  5F152FH03 ,  5F152FH05 ,  5F152FH08 ,  5F152LM09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP07 ,  5F152MM04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NN07 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN19 ,  5F152NP11 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ02 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ12 ,  5F152NQ17
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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