特許
J-GLOBAL ID：200903066951385413

SOI基板、表示装置およびSOI基板の製造方法

発明者：
糸賀 隆志

糸賀 隆志 について

, 
▲高▼藤 裕

▲高▼藤 裕 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (4件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  圓谷 徹 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-299577
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134675
出願日： 2002年10月11日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】基板上のコーティング膜と単結晶シリコン薄膜の被覆膜との接着性を向上し、単結晶シリコン薄膜の接着剥がれを生じさせない。【解決手段】SOI基板1において、光透過性基板2上の酸化珪素膜3と単結晶シリコン薄膜5に形成した酸化珪素膜4とは接合している。酸化珪素膜3の表面の凹凸は、光透過性基板2の表面とのなす角度の正接が0.06以下となっていた。また、酸化珪素膜3と酸化珪素膜4とは、それぞれ水に対する接触角が10°以下であった。また、光透過性基板2に対する単結晶シリコン薄膜5の接着力は0.6N/m以上であり、単結晶シリコン薄膜5の接着剥がれを生ずることがない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成したコーティング膜と単結晶シリコン片を被覆した被覆膜とを接合した接合部を含んでおり、上記単結晶シリコン片が水素イオンの注入層にて分断されて単結晶シリコン薄膜となっているSOI基板において、 上記基板が光透過性基板であり、 上記分断が熱処理によって行われたことを特徴とするSOI基板。
IPC (7件)：
H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L29/786
FI (7件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/76 R ,  H01L21/76 D ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627D
Fターム (41件)：
5F032AA03 ,  5F032AA06 ,  5F032AA09 ,  5F032AC02 ,  5F032DA04 ,  5F032DA43 ,  5F032DA71 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052EA15 ,  5F052FA19 ,  5F052HA01 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F052KA06 ,  5F052KB05 ,  5F052KB09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (10件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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