特許
J-GLOBAL ID：200903086616409295
SOIウェーハの製造方法およびSOIウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早川 政名 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141766
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331899
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 SOIウェーハの製造歩留まりを低下させる最大の要因である結合不良を低下させ、しかもSOI層の膜厚均一性に優れ、不純物汚染の少ないSOIウェーハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 ボンドウェーハ2表面より水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して該ボンドウェーハ内部に微小気泡層3を形成した後、該イオン注入面上に第1の温度でCVD酸化膜4を形成し、該CVD酸化膜の表面を平坦化処理した後、該表面をベースウェーハ1表面と密着させ、その後、第1の温度より高温の第2の温度で熱処理を加えて微小気泡層3でボンドウェーハを薄膜状に剥離し、SOIウェーハを得る。
請求項（抜粋）：
ボンドウェーハ表面より水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して該ボンドウェーハ内部に微小気泡層(封入層)を形成した後、該イオン注入面上に第1の温度でCVD酸化膜を形成し、該CVD酸化膜の表面を平坦化処理した後、該表面をベースウェーハ表面と密着させ、その後、第1の温度より高温の第2の温度で熱処理を加えて微小気泡層でボンドウェーハを薄膜状に剥離することを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/265
, H01L 27/12
H01L 21/02 B
, H01L 27/12 B
, H01L 21/265 Q
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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