特許
J-GLOBAL ID：200903030407325453

薄膜トランジスタおよびその製造方法並びにこれを搭載した液晶表示装置

発明者：
橋口 隆史

橋口 隆史 について


出願人/特許権者：
株式会社アドバンスト・ディスプレイ

株式会社アドバンスト・ディスプレイ について


代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-033519
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229198
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 オン電流を増大させると共に、オフ電流を減少させ、オン電流/オフ電流比が大きい薄膜トランジスタを得ることにより、表示特性の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上にゲート電極3、ゲート絶縁膜5を順次形成する。次に、i型アモルファスシリコン膜12を成膜し、レジストを用いてi型アモルファスシリコン膜12をテーパーエッチングし、端面がテーパー形状に形成されたi型アモルファスシリコン層(半導体層)6を形成する。次に不純物がドープされたn+ 型アモルファスシリコン層7、および一層目がCr、二層目がAlからなるソース電極8およびドレイン電極9を形成し、ソース電極8とドレイン電極9に覆われていない部分のn+ 型アモルファスシリコン層7をエッチングして分離し、逆スタガー型TFTを形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された制御電極と、上記制御電極上に絶縁膜を介して設けられ、テーパー形状の端面を有する半導体層と、上記半導体層上に形成されたオーミックコンタクト層と、上記オーミックコンタクト層上に形成され、上記半導体層と共に半導体素子を構成する一対の電極を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 29/78 617 K ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 618 C
引用特許：
審査官引用 (11件)
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