特許
J-GLOBAL ID：200903010215081460
ヘテロ接合電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-205911
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174039
出願日： 2002年07月15日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】マイクロ波からミリ波領域で動作する発振器やパワーアンプに用いるヘテロ接合電界効果トランジスタに関し、高い素子耐圧を有し、かつ、動作時の直列抵抗の小さいヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】ゲートリセス構造を有しているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極端からソース、ドレイン電極端の間のヘテロ接合電界効果トランジスタの素子耐圧に大きな影響を与える目空き領域に、少なくとも2層以上の不純物濃度の異なる層で構成することでヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗を小さくしつつ、高い素子耐圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタ。
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、障壁層と、コンタクト層とを備えた1段リセスのゲートリセス構造を有するヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極の横方向にゲート電極側端からリセス溝側壁上端かつ、縦方向にゲート電極下端からコンタクト層上端に相当する部分の目空き領域が、少なくとも2層以上の不純物濃度が異なる層で構成されていることを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102FA01
, 5F102FA03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GJ06
, 5F102GK04
, 5F102GK05
, 5F102GK06
, 5F102GL04
, 5F102GL05
, 5F102GM06
, 5F102GM08
, 5F102GN05
, 5F102GN06
, 5F102GN08
, 5F102GN09
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102GS04
, 5F102GV08
, 5F102HC01
