特許
J-GLOBAL ID:200903010311919912

張り合わせ誘電体分離ウェーハおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安倍 逸郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-125337
公開番号(公開出願番号):特開2000-315783
出願日: 1999年04月30日
公開日(公表日): 2000年11月14日
要約:
【要約】【課題】 裏面グラインディング時のチッピングを防ぎ、取扱いが容易で、縦型治具挿填後の安定性が良く、治具内ウェーハ倒れによる熱処理時のスリップ発生が抑えられる張り合わせ誘電体分離ウェーハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 張り合わせウェーハの外周部の面取り時、活性層用ウェーハ10側の端が面取り内縁で、支持基板用ウェーハ20側の端が面取り外縁とした、傾斜する第1の面取り部30を設ける。かつウェーハ20の外周部に、一端が第1の面取り部30の傾斜面と接し、ウェーハ20の表裏面と直交する第2の面取り部31を設ける。結果、裏面グラインディング時のチッピングの発生を防止でき、よって取扱いが容易で、しかも熱処理用ボート等の治具に縦置きした際の安定性が良く、治具内ウェーハ倒れによる熱処理時のスリップ発生を抑制できる。
請求項(抜粋):
支持基板用ウェーハと、この表面に張り合わされる活性層用ウェーハとを有し、この活性層用ウェーハの高温ポリシリコン層の表面に、互いに誘電体分離酸化膜によって分離された複数の誘電体分離シリコン島が形成された張り合わせ誘電体分離ウェーハにおいて、この張り合わせ誘電体分離ウェーハの外周部に第1の面取り面と第2の面取り面とを設け、第1の面取り面を、その内縁が活性層用ウェーハに、その外縁が支持基板用ウェーハにそれぞれ位置する傾斜面で形成し、第2の面取り面を、一端が上記第1の面取り面の外縁と接し、支持基板用ウェーハの裏面と直交した平面で形成した張り合わせ誘電体分離ウェーハ。
IPC (6件):
H01L 27/12 ,  B24B 1/00 ,  B24B 9/00 601 ,  H01L 21/304 601 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 631
FI (6件):
H01L 27/12 B ,  B24B 1/00 A ,  B24B 9/00 601 H ,  H01L 21/304 601 B ,  H01L 21/304 621 E ,  H01L 21/304 631
Fターム (4件):
3C049CA01 ,  3C049CA02 ,  3C049CA05 ,  3C049CB01
引用特許:
審査官引用 (12件)
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