特許

J-GLOBAL ID：200903010352879909

シリコン薄膜の結晶性評価方法および評価装置ならびにレーザアニール法および装置。

発明者： 田中 潤一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396474
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257176
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 基板上に形成された多結晶シリコン薄膜の結晶性を簡便に評価することができる方法および装置を提供する。【解決手段】 該方法は、基板上に形成された多結晶シリコン薄膜に光を照射する工程と、照射した光の反射光を分光する工程とを備え、分光により得られる光の強度分布から多結晶シリコン薄膜の結晶性を判定する。該装置は、光源25と、光源25からの光を基板24上に形成された多結晶シリコン薄膜23に照射するための光学系22と、照射した光の反射光を分析するための分光光度計26と、反射光を分光光度計26に導くための光学系22とを備える。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された多結晶シリコン薄膜の結晶性を評価する方法であって、前記基板上に形成された前記多結晶シリコン薄膜に光を照射する工程と、前記照射した光の反射光を分光する工程とを備え、前記分光により得られる光の強度分布から前記多結晶シリコン薄膜の結晶性を判定することを特徴とする、シリコン薄膜の結晶性評価方法。

IPC (6件)：

H01L 21/268 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/27 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/66

FI (6件)：

H01L 21/268 T ,  G01N 21/00 B ,  G01N 21/27 B ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/66 N

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体膜の形成装置及び形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-067337   出願人：三洋電機株式会社