特許

J-GLOBAL ID：200903010474965725

窒化物半導体装置とその製造方法

発明者： 多木 俊裕
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-353980
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166469
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】 ゲート耐圧の高い窒化物半導体装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 窒化物半導体装置は、窒化物半導体層をエピタキシャル成長できる基板と、基板上に形成され、窒化物半導体のチャネル層を含む半導体積層と、半導体積層上に形成され、チャネル層にオーミック接触する、ソース電極及びドレイン電極と、半導体積層上に形成された絶縁層であって、ゲート電極接触部に開口を有し、開口から離れた領域に表面が平坦な全厚領域を有し、開口端の側壁が全厚の一部の厚さまで急峻に立ち上がる絶縁膜と、開口で前記半導体積層に接し、両側で厚さが増加した部分まで延在するT型ゲート電極と、を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体層をエピタキシャル成長できる基板と、 前記基板上に形成され、窒化物半導体のチャネル層を含む半導体積層と、 前記半導体積層上に形成され、前記チャネル層にオーミック接触する、ソース電極及びドレイン電極と、 前記半導体積層上に形成された絶縁層であって、ゲート電極接触部に開口を有し、開口から離れた領域に表面が平坦な全厚領域を有し、開口端の側壁が全厚の一部の厚さまで急峻に立ち上がる絶縁膜と、 前記開口で前記半導体積層に接し、両側で厚さが増加した部分まで延在するT型ゲート電極と、 を有する窒化物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778

FI (2件)：

H01L29/80 Q ,  H01L29/80 H

Fターム (21件)：

5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 化合物半導体層の表面処理方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-378076   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2004000183   出願人：サンケン電気株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-347783   出願人：松下電器産業株式会社
• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-007966   出願人：富士通株式会社, ユーディナデバイス株式会社
• 化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-367932   出願人：富士通株式会社