特許
J-GLOBAL ID：200903010485958402

剥離剤組成物

発明者：
代田 真美

代田 真美 について

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樫原 栄二

樫原 栄二 について

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北澤 宏造

北澤 宏造 について

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名越 英二

名越 英二 について


出願人/特許権者：
花王株式会社

花王株式会社 について


代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394977
公開番号（公開出願番号）：特開2002-236377
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【課題】レジスト剥離性に優れ、半導体素子やLCD上の金属配線や金属薄膜等の各種部材に対する腐食防止効果に優れた剥離剤組成物及びレジスト剥離方法を提供すること。【解決手段】(a)酸及び/又はその塩と、(b)水2〜74重量%と、(d)下記の?@〜?G:?@式(I):R1 [(X)(AO)k R2 ]m (式中、R1 は水素原子又は炭素数1〜8の炭化水素基、Xは-O-、-COO-、-NH-、又は-N((AO)n H)-基、k及びnは1〜20、Aは炭素数2又は3のアルキレン基、R2 は水素原子又は炭素数1〜8の炭化水素基、mは1〜8を示す。)で表されるアルキレンオキサイド化合物、?Aアルコール類、?Bエーテル類、?Cカルボニル類、?Dエステル類、?Eフェノール類、?F含窒素化合物及び?G含硫黄化合物、よりなる群から選ばれる1種以上の有機溶剤、とを含有し、pHが8未満であるレジスト用剥離剤組成物(但し、分子中に窒素原子を含むキレート剤を含有する組成物を除く)、並びに該レジスト用剥離剤組成物を使用するレジスト剥離方法。
請求項（抜粋）：
(a)酸及び/又はその塩と、(b)水2〜74重量%と、(d)下記の?@〜?G:?@式(I)で表されるアルキレンオキサイド化合物、R1 [(X)(AO)k R2 ]m (I)(式中、R1 は水素原子又は炭素数1〜8の炭化水素基、Xは-O-、-COO-、-NH-、又は-N((AO)n H)-基、k及びnは1〜20、Aは炭素数2又は3のアルキレン基、R2 は水素原子又は炭素数1〜8の炭化水素基、mは1〜8を示す。)?Aアルコール類、?Bエーテル類、?Cカルボニル類、?Dエステル類、?Eフェノール類、?F含窒素化合物及び?G含硫黄化合物、よりなる群から選ばれる1種以上の有機溶剤、とを含有し、pHが8未満であるレジスト用剥離剤組成物(但し、分子中に窒素原子を含むキレート剤を含有する組成物を除く)。
IPC (2件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B
Fターム (7件)：
2H096AA25 ,  2H096HA17 ,  2H096HA23 ,  2H096LA03 ,  5F046MA01 ,  5F046MA02 ,  5F046MA03
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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